开辟碳化硅质地深刻蚀工艺,「中锃半导体」告竣数切切元天使轮融资丨36氪首发
作者丨邱晓芬
编辑丨苏建勋
36 氪获悉,中锃半导体(深圳)有限公司(下称「中锃半导体」)完成数千万元国人币天使轮融资。本轮融资由国科京东方、国核曜能、望众投资等共同出资,将主要用于研发平台搭建、原型设备和核心工艺开发、持续吸纳优秀技术人才。
「中锃半导体」成立于2023年10月,聚焦于特色工艺领域的 “等离子体干法刻蚀设备(Plasma Dry Etch)”和“关键工艺解决方案”。
「中锃半导体」创始人兼CEO谭志明表示,公司目前(Currently)正全力开发针对碳化硅材料的深刻蚀设备和工艺(Deep SiC Etch),用以支持沟槽栅(Trench-Gate)的达成和更广阔器件设计窗口。
功率半导体,又称电力电子器件可能功率电子器件,是电子产业链中最核心的一类器件之一。功率半导体能够达成电能转换和电路控制,在电路中主要起着功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护、逆变(直流转交流)和整流(交流转直流)等作用。
而碳化硅(SiC)作为一种宽禁带材料天然具有更高的耐压,用碳化硅制作的电力器件相对于传统硅基器件,可以以更高的频率和更宽的温度区域内处理高压电流。
在模组层面,碳化硅已经可以显著地降低损耗、重量和体积。为此,在将来能源技术变革当中,碳化硅材料将极具优势。
因此,目前(Currently)在各类功率器件中,碳化硅功率器件作为一项先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。
不过,目前(Currently)影响碳化硅走向应用的重大限制之一是成本。
通过沟槽栅(Trench-Gate)技术,碳化硅产品可以缩小芯片的表面积,让单个晶圆能产出更多的芯片。因此,这项技术也成为产业界降成本的主要手段。
而除了成本考量之外,沟槽栅还可以避免寄生Jfet效应带来的额外内阻。比如,国外芯片厂商“英飞凌”就曾通过沟槽,来选择更好晶面来改善栅氧界面和提高器件性能等等。
因此,如何应对碳化硅仅次于金刚石的超高的硬度(莫氏硬度9.5)和材料特性,达成碳化硅深刻蚀(Deep SiC Etch)以高效地达成工艺的具体形貌要求,就成为产业界一个重大的难题。
在国内市场,目前(Currently)产业界正处于碳化硅深刻蚀达成技术突破和量产的关键阶段,更需要本土的设备厂商提供更多特色工艺的支持,共同达成半导体技术上的“弯道超车”。
「中锃半导体」创始人兼CEO谭志明介绍,“公司团队在技术和经验上非常全面,涵盖设备、制程工艺甚至器件设计等多个环节,并且确认会同产业生态内的合作伙伴进行(Carry Out)联合研发,期望尽早推出卓越的刻蚀设备产品和成熟的工艺解决方案,协助客户解决关键工艺突破问题,提升产品价值。”
展望将来,谭志明表示,“中锃半导体将携手产业生态伙伴和业内高手,以领先的设备和工艺助力祖国碳化硅产业发展跑出加速度。并期望依托本土市场的基础,最终走向全球。”
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